英特爾正在積極投入先進制程研發，也同步強化其先進封裝業務，目前正在馬來西亞檳城興建最新的封裝廠，強化 2.5D / 3D 封裝布局版圖。

　　該公司表示，規劃到 2025 年時，其 3D Foveros 封裝的產能將增加四倍。英特爾副總裁 Robin Martin 今日在檳城受訪時透露，未來檳城新廠將會成為該公司最大的 3D 先進封裝據點。

　　2021 年，英特爾宣布將投資 71 億美元(IT之家備注：當前約 517.59 億元人民幣)在檳城峇六拜建造一家由英特爾運營的全新領先半導體封裝工廠。

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　　根據英特爾的說法，作為處理器和主板之間的物理接口，芯片的封裝對產品級性能有著至關重要的作用。先進的封裝技術便于各種各樣的計算引擎實現跨多進程技術集成，并有助于在系統架構中采用全新方法。

　　據介紹，英特爾的 Foveros 封裝技術采用 3D 堆棧來實現邏輯對邏輯的集成，為設計人員提供了極大的靈活性，從而在新設備外形要素中混搭使用技術 IP 塊與各種內存和輸入 / 輸出元素。產品可以分成更小的小芯片 (chiplet) 或塊 (tile)，其中 I / O、SRAM 和電源傳輸電路在基礎芯片中制造，高性能邏輯小芯片或塊堆疊在頂部。

　　除此之外，英特爾的全新封裝功能正在解鎖新的設計，通過將 EMIB 和 Foveros 技術相結合，允許不同的小芯片和塊互連，性能基本上相當于單個芯片。憑借 Foveros Omni，英特爾稱設計人員利用封裝中的小芯片或塊可獲得更大的通信靈活性。
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