三星電子有限公司周四宣布，該公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規模生產 3 納米半導體芯片，是全球首家量產 3 納米芯片的公司。與前幾代使用 FinFET 的芯片不同，三星使用的 GAA(Gate All Around)晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。

　　三星公司在一份聲明中說，與傳統的 5 納米芯片相比，新開發的第一代 3 納米工藝可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并減少 16% 的面積。

　　三星公司沒有透露 3 納米公司的客戶身份，分析師表示，預計三星本身和中國虛擬貨幣挖礦機芯片設計公司上海磐矽半導體將成為最初的客戶之一。

　　作為對比，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產 3 納米芯片。

　　IT之家了解到，臺積電(TSMC)是世界上最先進的代工芯片制造商，控制著全球 54% 的芯片合同生產市場，蘋果和高通等沒有自己半導體設施的公司都是其客戶。

　　根據數據提供商 TrendForce 的數據，三星以 16.3% 的市場份額排名第二，去年該公司宣布了一項 171 萬億韓元(約 8840.7 億元人民幣)的投資計劃，以在 2030 年之前超越臺積電成為全球頂級邏輯芯片制造商。

　　“我們將在有競爭力的技術開發方面繼續積極創新，”三星公司代工業務主管 Siyoung Choi 說。

　　三星聯合首席執行官 Kyung Kye-hyun 今年早些時候說，其代工業務將在中國尋找新的客戶，因為從汽車制造商到家電產品制造商的公司都急于確保產能，以解決全球芯片持續短缺的問題，它預計在中國將有高的市場增長。

　　雖然三星是第一個生產 3 納米芯片的公司，但臺積電正計劃在 2025 年實現 2 納米芯片的批量生產。

　　分析師說，三星是內存芯片的市場領導者，但其在更多樣化的代工業務方面已經被領先者臺積電超越，使其難以跟其競爭。在過去一年左右的時間里，三星與行業領導者競爭的努力也因舊芯片的產量低于預期而受到阻礙。該公司在 3 月份表示，其經營情況已顯示出逐步改善。
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