芯研所：三星成功流片了3nm GAA芯片，功耗降低了50%，性能提高了約30%，不過是否能量產還是有待考究。

　　全球目前量產的 最先進工藝是5nm，臺積電明年就要量產3nm工藝，不過3nm節點他們依然選擇FinFET晶體管技術，三星則選擇了GAA技術，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，邁出了關鍵一步。

　　在3nm節點，三星比較激進，直接選擇了下一代工藝技術——GAA環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

　　根據三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

　　
 

　　三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設計套件標準，這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的，雙方聯合驗證了該工藝的設計、生產流程，是3nm GAA工藝的里程碑。

　　不過三星、Synopsys并沒有透露這次驗證的3nm GAA芯片的詳情，官方只說GAA架構改進了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。

　　3nm GAA工藝流片意味著該工藝量產又近了一步，不過最終的進度依然不好說，三星最早說在2021年就能量產，后來推遲到2022年，但是從現在的情況來看，明年臺積電3nm工藝量產時，三星的3nm恐怕還沒準備好，依然要晚一些。